اعلنت سامسونج عن شحنها أول مليون رقاقة ذاكرة 10 نانومتر DDR4 مبنية على تقنية ألترا فولت؛ والتي من شأنها أن تعطي تحسناً ملحوظاً على أداء الذاكرة العشوائية بشكل ملموس وواقعي.
وتقول سامسونج في مدونتها أنها وبإنتاج ذاكرة الوصول العشوائي DRAM المبنية على تقنية ألترا فولت EUV، فإنها تبرز مدى إلتزامها بالابتكار الثوري في حلول ذواكر DRAM ودعم عملائها في مجال تكنولوجيا المعلومات حول العالم.
وأضافت سامسونج بأن تقنية EUV ستكون حاضرة في عملية تصنيع الأجيال القادمة من الذاكرات المستقبلية؛ بداية من الفئة التي أعلنت عنها ضمن 10 نانومتر وتلك الأعلى منها فئة 14 نانومتر.
فيما تتوقع سامسونج بدء إنتاج ذواكر DDR5 و LPDDR5 خلال العام القادم حيث ستضاعف القدرة الإنتاجية وستعزز من تعاونها مع عملائها من رواد تكنولوجيا المعلومات وموردي أشباه الموصلات لزيادة وتحسين المواصفات القياسية في رقاقة الجيل القادم DDR5/LPDDR5 وتوفيرهما في السوق بالسرعة المطلوبة.
إرسال تعليق